联博以太坊高度:新型存储器与传统存储器介质特性比拟

黄山新闻网/2020-07-10/ 分类:黄山科技/阅读:

摘要:今朝新型存储器上受到遍及存眷的新型存储器主要有相变存储器(PCM),

联博以太坊高度

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,个中有以英特尔与美光连系研发的3DXpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表。

今朝新型存储器上受到遍及存眷的新型存储器主要有相变存储器(PCM),个中有以英特尔与美光连系研发的3D Xpoint为代表;MRAM以美国Everspin公司推出的STT-MRAM为代表;阻变存储器ReRAM,今朝暂无商用产物,其代表公司是美国的Crossbar。
 
上述新型存储器已被研究了近数十年,只是相对付早已产业化的随机存储sram、DRAM存储器、和NAND Flash,还未能大局限商用。存储器产业将来的技能成长偏向仍是未知数。
 
在非易失性MRAM存储器方面,Everspin MRAM已经有产物应用于航空航天等特定规模,并于2019年开始与格芯相助,试出产28nm制程的1Gb STT-MRAM产物。ReRAM存储器仍然尚未商用,初创公司如Crossbar则正致力于其产业化的历程。
 
当前的新型存储器尚不具备替代DRAM芯片或Nand闪存的本领,市场主要会合于低延迟存储与耐久内存。别离较量3种存储的介质特性如下表所示。
 

表 新型存储及传统存储特性比拟


MRAM具有最好的读写速率和利用寿命,从理论上有时机替代此刻的内存芯片和外存,可是由于涉及量子隧穿效应,大局限制造难以担保均一性,存储容量和良率爬坡迟钝。在工艺取得进一步打破之前,宇芯电子署理的Everspin MRAM芯片的产物主要合用于容量要求低的非凡应用规模以及新兴的IoT嵌入式存储规模。
Everspin STT-MRAM  1Gb

DensityOrg.Part NumberSpeedTemp RatingPackagePack/Ship
1Gb   --   EMD4E001G08G2-150CAS2   667MHz   Commercial   78-BGA   Tray  
1Gb   --   EMD4E001G08G2-150CAS2R   667MHz   Commercial   78-BGA   Tape & Reel  
1Gb   --   EMD4E001G16G2-150CAS2   667MHz   Commercial   96-BGA   Tray  
1Gb   --   EMD4E001G16G2-150CAS2R   667MHz   Commercial   96-BGA   Tape & Reel  
1Gb   128Mb x8   EMD4E001G08G1-150CAS1   667MHz   Commercial   78-BGA   Tray  
1Gb   128Mb x8   EMD4E001G08G1-150CAS1   667MHz   Commercial   78-BGA   Tape & Reel  
1Gb   64Mb x16   EMD4E001G16G2-150CAS1   667MHz   Commercial   96-BGA   Tray  
1Gb   64Mb x16   EMD4E001G16G2-150CAS1R   667MHz   Commercial   96-BGA   Tape & Reel  

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