环球UGAPP下载:浅谈非易失性存储器现状与未来展望

【IT168 资讯】本篇文章先容非易失性存储器的特点，及非易失性存储器成长趋势，此后，出产聚合物存储器大概会变得像印照片一样简朴，但本年才方才开始对这种非易失性存储器的出产工艺举办研发。

　　一、非易失性存储器的特点

　　非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)的特点是在断电时不会丢失内容。闪速存储器(Flash Memory)就是一类非易失性存储器，纵然在供电电源封锁后仍能保持片内信息;而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器，当供电电源封锁时片内信息随即丢失。Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点，与EPROM对较量，闪速存储器具有明明的优势——在系统电可擦除和可反复编程，而不需要非凡的高电压(某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操纵);与EEPROM对较量，闪速存储器具有本钱低、密度大的特点。

　　二、非易失性存储器成长趋势

　　尽量今朝非易失性存储器中最先进的就是闪存，但技能却并未就此留步。出产商们正在开拓多种新技能，以便使闪存也拥有像DRAM和SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。

　　非易失性存储器包罗铁电介质存储器(FRAM或FeRAM)、磁介质存储器(MRAM)、奥弗辛斯基效应一致性存储器(OUM)以及聚合物存储器(PFRAM)，对数据处理惩罚来说，它们都很有前途，

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　　FRAM 是下一代的非易失性存储器技能，运行能耗低，在断电后能恒久生存数据。它综合了RAM高速读写和ROM恒久生存数据的特点。这项技能操作了铁电质料可生存信息的特点，利用工业尺度的CMOS半导体存储器制造工艺来出产，直到克日才研发乐成。可是，FRAM的寿命是有限的，而其读取是粉碎性的，就是说一旦举办读取，FRAM中存储的数据就消失了。

　　MRAM 长短易失性的存储器，速度比DRAM还快。在尝试室中，MRAM的写入时间可低至2.3ns。MRAM拥有无限次的读写本领，而且功耗极低，可实现瞬间开关机并能耽误便携机的电池利用时间。并且，MRAM的电路比普通存储器还简朴，整个芯片只需一条读出电路。但就出产成原来看，MRAM比SRAM、DRAM及闪存都高得多。

　　OUM 是一种非易失性存储器，可以替代低功耗的闪存。它拥有很长的读写操纵寿命，而且比闪存更易集成。OUM存储单位的密度极高，读取操纵完全安全，只需极低的电压和功率即可事情，同现有逻辑电路的集成也相当简朴。用OUM单位建造的存储器约莫可写入10亿次，这使它成为便携设备中大容量存储器的抱负替代品。可是，OUM有必然的利用寿命，恒久利用会出一些靠得住性问题。

　　PFRAM 是一种塑料的、基于聚合物的非易失性存储器，通过三维堆叠技能可以获得很高的密度，但它的读写操纵寿命有限。PFRAM大概会替代闪存，而且其本钱只有NOR型闪存的10%阁下。塑料存储器的存储潜力也相当庞大。

　　此后，出产聚合物存储器大概会变得像印照片一样简朴，但本年才方才开始对这种非易失性存储器的出产工艺举办研发。PFRAM的读写次数也有限，而且其读取也是粉碎性的，就像FRAM一样。