环球UGAPP下载:浅谈非易失性存储器现状与未来展望

黄山新闻网/2020-07-10/ 分类:黄山科技/阅读:

【IT168 资讯】本篇文章先容非易失性存储器的特点,及非易失性存储器成长趋势,此后,出产聚合物存储器大概会变得像印照片一样简朴,但本年才方才开始对这种非易失性存储器的出产工艺举办研发。

  一、非易失性存储器的特点

  非易失性存储器NVM(Non-Volatile Memory)的特点是在断电时不会丢失内容。闪速存储器(Flash Memory)就是一类非易失性存储器,纵然在供电电源封锁后仍能保持片内信息;而诸如DRAM、SRAM这类易失性存储器,当供电电源封锁时片内信息随即丢失。Flash Memory集其它类非易失性存储器的特点,与EPROM对较量,闪速存储器具有明明的优势——在系统电可擦除和可反复编程,而不需要非凡的高电压(某些第一代闪速存储器也要求高电压来完成擦除和/或编程操纵);与EEPROM对较量,闪速存储器具有本钱低、密度大的特点。

  二、非易失性存储器成长趋势

  尽量今朝非易失性存储器中最先进的就是闪存,但技能却并未就此留步。出产商们正在开拓多种新技能,以便使闪存也拥有像DRAM和SDRAM那样的高速、低价、寿命长等特点。

  非易失性存储器包罗铁电介质存储器(FRAM或FeRAM)、磁介质存储器(MRAM)、奥弗辛斯基效应一致性存储器(OUM)以及聚合物存储器(PFRAM),对数据处理惩罚来说,它们都很有前途,

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,因为它们打破了SRAM、DRAM以及闪存的范围性。

  FRAM 是下一代的非易失性存储器技能,运行能耗低,在断电后能恒久生存数据。它综合了RAM高速读写和ROM恒久生存数据的特点。这项技能操作了铁电质料可生存信息的特点,利用工业尺度的CMOS半导体存储器制造工艺来出产,直到克日才研发乐成。可是,FRAM的寿命是有限的,而其读取是粉碎性的,就是说一旦举办读取,FRAM中存储的数据就消失了。

  MRAM 长短易失性的存储器,速度比DRAM还快。在尝试室中,MRAM的写入时间可低至2.3ns。MRAM拥有无限次的读写本领,而且功耗极低,可实现瞬间开关机并能耽误便携机的电池利用时间。并且,MRAM的电路比普通存储器还简朴,整个芯片只需一条读出电路。但就出产成原来看,MRAM比SRAM、DRAM及闪存都高得多。

  OUM 是一种非易失性存储器,可以替代低功耗的闪存。它拥有很长的读写操纵寿命,而且比闪存更易集成。OUM存储单位的密度极高,读取操纵完全安全,只需极低的电压和功率即可事情,同现有逻辑电路的集成也相当简朴。用OUM单位建造的存储器约莫可写入10亿次,这使它成为便携设备中大容量存储器的抱负替代品。可是,OUM有必然的利用寿命,恒久利用会出一些靠得住性问题

  PFRAM 是一种塑料的、基于聚合物的非易失性存储器,通过三维堆叠技能可以获得很高的密度,但它的读写操纵寿命有限。PFRAM大概会替代闪存,而且其本钱只有NOR型闪存的10%阁下。塑料存储器的存储潜力也相当庞大。

  此后,出产聚合物存储器大概会变得像印照片一样简朴,但本年才方才开始对这种非易失性存储器的出产工艺举办研发。PFRAM的读写次数也有限,而且其读取也是粉碎性的,就像FRAM一样。

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